У Toshiba готова флэш-память 3D TLC NAND с объемной компоновкой кристаллов с использованием технологии TSV

Компания Toshiba Memory сообщила о разработке первой в мире флэш-памяти TLC BiCS FLASH с объемной компоновкой кристаллов с использованием межслойных соединений (Through Silicon Via, TSV). В июне производитель начал отгрузку прототипов, а ознакомительные образцы должны быть готовы в текущем полугодии.

Использование TSV позволяет получить высокую скорость передачи данных и низкое потребление. Эта технология уже была опробована Toshiba с кристаллами 2D NAND.

Объединив 8 кристаллов 48-слойной памяти 3D NAND, удалось получить микросхему объемом 512 ГБ в корпусе размерами 14 х 18 х 1,35 мм. В корпусе высотой 1,85 мм помещается «стопка» из 16 кристаллов суммарным объемом 1 ТБ.

По словам производителя, новая память найдет применение, в частности, в SSD верхнего корпоративного сегмента.

Источник: Toshiba