Следующая новость
Предыдущая новость

Toshiba показала 64-слойные микросхемы 3D NAND. 512 ГБ в одном чипе

Toshiba показала 64-слойные микросхемы 3D NAND. 512 ГБ в одном чипе

Инженеры компании Toshiba, занимающей одни из лидирующих позиций в ремесле производства энергонезависимой NAND-памяти, накануне похвастались очередным достижением. Были представлены новые 64-слойные микросхемы памяти типа TLC (три бита/ячейка, которые могут вместить по 512 ГБ данных каждая.

На данный момент уже показаны и первые NVMe-накопители с новой памятью – серия BG3, от той же Toshiba. Очевидно, примечательны новинки очень малыми размерами. Зачастую M.2 накопители имеют тип 2280 (название от размеров, 22 х 80 мм), а BG3 в формате 22 х 30 мм.

Более того, также есть варианты типа 16 х 20 мм. В таком случае указывается и высота. У моделей на 128 и 256 ГБ формат 1620-S2 (толщина 1,35 мм), а у 512 ГБ-версии формат 1620-S3 (толщина 1,5 мм).

Скромный размер – не значит маленькие скорости. Заявлено 1520/840 МБ/с для последовательных чтения/записи соответственно, а вот о показателях IOPS данных пока нет.

Это на самом деле куда большая новость, чем может показаться на первый взгляд. Чипы Toshiba очень часто используют производители смартфонов/телефонов, и ну и конечно в изобилии производители SSD-накопителей. Ждем мобильные устройства с 512 ГБ памяти (а почему бы и нет, 256 ГБ то уже есть), ну и малюсенькие SSD Toshiba BG3.

Последние новости