Компания SK Hynix привезла на конференцию GTC 2017, проходящую в настоящее время в Сан-Хосе, первые образцы микросхем памяти GDDR6, формальный анонс которой состоялся в прошлом месяце. Новые чипы найдут применение в графических адаптерах следующего поколения и обеспечат удвоенную пропускную способность и объём по сравнению с микросхемами GDDR5.
Демонстрируемые на GTC микросхемы обладают объёмом 8 Гбит (1 ГБ), а их массовое производство начнётся в начале следующего года. Тем временем массовый выпуск чипов GDDR6 ёмкостью 16 Гбит будет запущено во второй половине 2017.
Среди главных преимуществ памяти GDDR6 над GDDR5(X) южнокорейский чипмейкер отмечает увеличенную до 16 Гбит/с максимальную пропускную способность, а также уменьшенное энергопотребление.
Для наглядности, использование 384-разрядной шины и микросхем GDDR6 обеспечит максимальную пропускную способность памяти около 768 Гбайт/с, тогда как чипы GDDR5X в ускорителе Titan Xp способны обеспечить ПСП около 548 Гбайт/с.
Стоит отметить, что GDDR6 в первую очередь найдёт применение в графических адаптерах на основе GPU от Nvidia, в то время как «красный» конкурент предпочитает использовать в своих high-end решениях многослойную память HBM.
Источник
30 ЛУЧШИХ ММО ИГР
Читайте также
Последние новости