SK Hinyx разрабатывает 96- и 128-слойную 3D NAND

С подачи компании Samsung флеш-память начала расти ввысь, увеличивая ёмкость за счёт наращивания числа слоёв при неизменной (почти) площади кристалла. Сегодня Samsung и Toshiba освоили массовое производство 64-слойной памяти 3D NAND. Следующим шагом, вероятно, станет 80-слойная память, если опираться на ранее выбранный компаниями шаг наращивания числа слоёв от поколения к поколению. Также каждая из них успела сообщить, что к 2020 году они смогут выпускать 1-Тбит 100-слойные микросхемы 3D NAND. О подобных среднесрочных перспективах молчала только компания SK Hinyx, но на днях наши коллеги с сайта Tom's Hardware прояснили ситуацию с перспективными планами этого южнокорейского производителя.

Сообщается, что SK Hinyx последовательно перейдёт на выпуск 512-Гбит 96-слойной 3D NAND, а затем на производство 1-Тбит 128-слойной флеш-памяти. Произойдёт это через несколько лет, хотя перспективы появления 128-Гбайт кристалла энергонезависимой памяти впечатляют даже сейчас. Это означает появление относительно доступных 1-Тбайт SSD и общее увеличение производительности ноутбуков и настольных систем.

В настоящий момент компания SK Hinyx готовит производство к массовому выпуску 256-Гбит 72-слойной 3D NAND TLC. Выпуск этой продукции намечен на вторую половину года. Старт массового производства 72-слойной памяти компания обещала начать ещё весной, но этого, к сожалению, не произошло. Тем самым появились опасения, что SK Hynix также не выполнит другое обещание — начать массовый выпуск 512-Гбит 72-слойной памяти в конце текущего года. Можно предположить, что в конце года нам сообщат лишь о разработке технологии выпуска этих микросхем, а массовое производство начнётся весной.

Кстати, 96-слойная память также заявлена в виде 512-Гбит решений, что ставит под сомнение целесообразность налаживания выпуска 512-Гбит 72-слойной 3D NAND. Интересно, означает ли это, что выпуск 96-слойной 3D NAND компания SK Hynix сможет начать скорее раньше, чем позже?

Источник

Источник
30 ЛУЧШИХ ММО ИГР