Память Micron GDDR5X демонстрирует скорость 16 Гбит/с

В августе прошлого года компания Samsung рассказала, что память GDDR6 появится на рынке в 2018 году. Тогда южнокорейский производитель сообщил, что эта память будет работать на частоте 15 ГГц. Три месяца назад стало известно, что Micron рассчитывает представить память GDDR6 в конце 2017 года или в начале 2018 года.

Согласно недавней публикации в блоге производителя, работы идут по плану — к серийному выпуску GDDR6 компания надеется приступить в начале 2018 года. Тем временем производитель продемонстрировал возможности своей памяти GDDR5X.

Как известно, Micron выпускает память GDDR5X, передающую данные со скоростью до 10, 11 или 12 Гбит/с в расчете на линию. Скажем, в серийной 3D-карте Nvidia Titan Xp память работает со скоростью 11,4 Гбит/с. Но это далеко не предел возможностей GDDR5X: в лабораторных условиях специалистам Micron удалось получить скорость 16 Гбит/с.

По словам Micron, GDDR6 будет иметь два наиболее существенных отличия от GDDR5X: корпус FBGA180 размерами 14x12 мм с увеличенным шагом выводов (0,75 против 0,65 мм) и двухканальную архитектуру. Это позволит повысить реальную скорость передачи (в спецификациях JEDEC для обоих типов памяти указана максимальная скорость 16 Гбит/с). Кроме того, микросхемы GDDR6 могут быть плотностью до 32 Гбит, тогда как GDDR5 — 16 Гбит.

Источник: Micron